Przyrządy półprzewodnikowe ALFRED ŚWIT
Cena: 11,92 zł
WNT 1969, stron: 350 stan db+ (podniszczona lekko okładka, przykurzona)
ISBN
W książce omówiono podstawy fizyczne, własności i charakterystyki oraz konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych, takich jak: diody, tranzystory, termistory, hallotrony i przyrządy fotoelektryczne.
Książka jest przeznaczona jako podręcznik dla wydziałów elektroniki wyższych szkół technicznych. Mogą z niej również korzystać inżynierowie i technicy pracujący przy projektowaniu, konstruowaniu i użytkowaniu przyrządów półprzewodnikowych.
Przedmowa
Ważniejsze oznaczenia literowe
Wstęp
Rozdział 1. Wiadomości podstawowe o półprzewodnikach jednorodnych
1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika Rozdział 2. Własności elektryczne półprzewodników jednorodnych
2.1. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku
2.2. Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3. Oddziaływanie pola magnetycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.4. Zakłócenie koncentracji nośników ładunku w półprzewodniku
2.5. Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku
Rozdział 3. Termistory
3.1. Charakterystyka temperaturowa rezystancji
3.2. Charakterystyka napięciowo-prądowa
3.3. Przykłady typowych konstrukcji i zastosowań termistorów
Rozdział 4. Hallotrony
4.1. Charakterystyki statyczne oraz parametry
4.2. Typowe konstrukcje i zastosowanie hallotronów
Rozdział 5. Złącza p-n (diody półprzewodnikowe)
5.1. Zjawiska fizyczne w złączu p-n
5.1.1. Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n
5.1.2. Model pasmowy złącza p-n
5.2. Przepływ prądu przez złącze p-n pod wpływem napięcia doprowadzonego z zewnątrz
5.2.1. Mechanizm przepływu grądu przez złącze p-n
5.2.2. Charakterystyka statyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n
5.2.3. Własności idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
5.2.4. Charakterystyka prądowo-napięciowa rzeczywiitego złącza p-n
5.2.5. Charakterystyka I(U) złącza p-n z silnie domieszkowanego półprzewodnika
5.2.6. Wpływ temperatury na charakterystykę i własności złącza p-n
5.3. Przykłady typowych metod wykonywania złącz p-n
Rozdział 6. Styki metal-półprzewodnik
6.1. Własności styków m-p
Rozdział 7. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne
7.1. Zastosowania i związane z nimi rodzaje diod
7.1.1. Diody prostownicze
7.1.2. Diody detekcyjne i mieszające
7.1.3. Diody impulsowe
7.1.4. Diody stabilizacyjne (diody Zenera)
7.1.5. Diody pojemnościowe
7.1.6. Diody tunelowe
7.2. Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych
EoEdział 8. Tranzystory z jednorodną bazą
8.1. Zasada działania tranzystora z jednorodną bazą
5.2. Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem
8.3. Zasady polaryzacji tranzystora
8.4. Ogólne równania tranzystora idealnego w warunkach statycznych
8.5. Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego
8.6. Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.6.1. Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości
8.6.2. Częstotliwości graniczne tranzystora idealnego
8.6.3. Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości
8.6.4. Farametry i układ zastępczy dla zakresu wielkich częstotliwości
8.7. Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą
8.7.1. Rezystancja rozproszona bazy
8.7.2. Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.7.3. Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego
8.7.4. Własności tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy
Rozdział 9. Tranzystory z niejednorodną bazą (tranzystory dryftowe)
9.1. Zasada działania
9.2. Parametry idealnego tranzystora dryftowego dla małych amplitud prądu zmiennego
9.3. Tranzystor dryftowy rzeczywisty
Rozdział 10. Zależność własności tranzystora od temperatury oraz szumy tranzystora
10.1. Wpływ temperatury na własności tranzystora
10.2. Szumy tranzystora
Rozdział 11. Typowe metody wykonywania złącz tranzystorowych i konstrukcje tranzystorów
11.1. Metody wykonywania złącz tranzystorowych
11.2. Typowe konstrukcje tranzystorów
Rozdział 12. Tranzystory unipolarne
t 12.1. Zasada działania i własności tranzystora unipolarnego ze złączem p-n
12.2. Zasada działania i własności tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką
Rozdział 13. Tranzystory p-n-p-n (tyrystory)
13.1. Zasada działania tranzystora p-n-p-n
13.2. Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n
13.3. Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n
Rozdział 14. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryezne
14.1. Oporniki fotoelektryczne
14.2. Fotodiody półprzewodnikowe
Wykaz literatury Skorowidz
ISBN
W książce omówiono podstawy fizyczne, własności i charakterystyki oraz konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych, takich jak: diody, tranzystory, termistory, hallotrony i przyrządy fotoelektryczne.
Książka jest przeznaczona jako podręcznik dla wydziałów elektroniki wyższych szkół technicznych. Mogą z niej również korzystać inżynierowie i technicy pracujący przy projektowaniu, konstruowaniu i użytkowaniu przyrządów półprzewodnikowych.
Przedmowa
Ważniejsze oznaczenia literowe
Wstęp
Rozdział 1. Wiadomości podstawowe o półprzewodnikach jednorodnych
1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika Rozdział 2. Własności elektryczne półprzewodników jednorodnych
2.1. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku
2.2. Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.3. Oddziaływanie pola magnetycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku
2.4. Zakłócenie koncentracji nośników ładunku w półprzewodniku
2.5. Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku
Rozdział 3. Termistory
3.1. Charakterystyka temperaturowa rezystancji
3.2. Charakterystyka napięciowo-prądowa
3.3. Przykłady typowych konstrukcji i zastosowań termistorów
Rozdział 4. Hallotrony
4.1. Charakterystyki statyczne oraz parametry
4.2. Typowe konstrukcje i zastosowanie hallotronów
Rozdział 5. Złącza p-n (diody półprzewodnikowe)
5.1. Zjawiska fizyczne w złączu p-n
5.1.1. Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n
5.1.2. Model pasmowy złącza p-n
5.2. Przepływ prądu przez złącze p-n pod wpływem napięcia doprowadzonego z zewnątrz
5.2.1. Mechanizm przepływu grądu przez złącze p-n
5.2.2. Charakterystyka statyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n
5.2.3. Własności idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego
5.2.4. Charakterystyka prądowo-napięciowa rzeczywiitego złącza p-n
5.2.5. Charakterystyka I(U) złącza p-n z silnie domieszkowanego półprzewodnika
5.2.6. Wpływ temperatury na charakterystykę i własności złącza p-n
5.3. Przykłady typowych metod wykonywania złącz p-n
Rozdział 6. Styki metal-półprzewodnik
6.1. Własności styków m-p
Rozdział 7. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne
7.1. Zastosowania i związane z nimi rodzaje diod
7.1.1. Diody prostownicze
7.1.2. Diody detekcyjne i mieszające
7.1.3. Diody impulsowe
7.1.4. Diody stabilizacyjne (diody Zenera)
7.1.5. Diody pojemnościowe
7.1.6. Diody tunelowe
7.2. Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych
EoEdział 8. Tranzystory z jednorodną bazą
8.1. Zasada działania tranzystora z jednorodną bazą
5.2. Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem
8.3. Zasady polaryzacji tranzystora
8.4. Ogólne równania tranzystora idealnego w warunkach statycznych
8.5. Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego
8.6. Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.6.1. Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości
8.6.2. Częstotliwości graniczne tranzystora idealnego
8.6.3. Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości
8.6.4. Farametry i układ zastępczy dla zakresu wielkich częstotliwości
8.7. Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą
8.7.1. Rezystancja rozproszona bazy
8.7.2. Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego
8.7.3. Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego
8.7.4. Własności tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy
Rozdział 9. Tranzystory z niejednorodną bazą (tranzystory dryftowe)
9.1. Zasada działania
9.2. Parametry idealnego tranzystora dryftowego dla małych amplitud prądu zmiennego
9.3. Tranzystor dryftowy rzeczywisty
Rozdział 10. Zależność własności tranzystora od temperatury oraz szumy tranzystora
10.1. Wpływ temperatury na własności tranzystora
10.2. Szumy tranzystora
Rozdział 11. Typowe metody wykonywania złącz tranzystorowych i konstrukcje tranzystorów
11.1. Metody wykonywania złącz tranzystorowych
11.2. Typowe konstrukcje tranzystorów
Rozdział 12. Tranzystory unipolarne
t 12.1. Zasada działania i własności tranzystora unipolarnego ze złączem p-n
12.2. Zasada działania i własności tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką
Rozdział 13. Tranzystory p-n-p-n (tyrystory)
13.1. Zasada działania tranzystora p-n-p-n
13.2. Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n
13.3. Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n
Rozdział 14. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryezne
14.1. Oporniki fotoelektryczne
14.2. Fotodiody półprzewodnikowe
Wykaz literatury Skorowidz