PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWE Projektowanie i zastosowanie G. Luecke, J. Mize, W. Carr
Producent: 003 ][216]
Cena: 12,00 zł
WNT 1978 , str. 366 stan bdb- (podniszczona lekko okładka, pieczątki)
ISBN
W książce przedstawiono w zwartej formie sposoby wytwarzania oraz zasady konstrukcji półprzewodnikowych układów scalonych pełniących funkcję magazynowania informacji. Omówiono podstawowe rodzaje pamięci półprzewodnikowych i wyjaśniono zasady ich działania na przykładach praktycznych rozwiązań układów pamięciowych. Znaczną część materiału poświęcono zastosowaniu pamięci półprzewodnikowych w systemach pamięciowych.
SPIS TREŚCI
Przedmowa
1. ZAGADNIENIA OGÓLNE
1.1. Wprowadzenie
1.2. Trzy rodzaje pamięci
1.3. Przewidywane ceny pamięci półprzewodnikowych
Literatura
2. TECHNOLOGIE STOSOWANE W PRODUKCJI PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ELEMENTÓW PAMIĘCIOWYCH
2.1. Charakterystyki półprzewodnikowych elementów pamięciowych decydujące o ich przydatności
2.2. Przegląd współczesnych półprzewodnikowych układów pamięciowych
2.3. Zagadnienia pola powierzchni płytki krzemowej zajmowanego przez strukturę mikroukładu
2.4. Analiza i porównanie technologii wytwarzania pamięci półprzewodnikowych
2.5. Porównanie współczynników jakości
2.6. Krótkie omówienie technologii hermetyzacji układów pamięciowych
2.7. Wnioski Literatura
3. KONSTRUKCJE UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH O DOSTĘPIE SZEREGOWYM
3.1. Wprowadzenie
3.2. Rejestry przesuwające MOS
3.3. Problemy związane z rejestrami przesuwającymi MOS
3.4. Charakterystyki bipolarnych rejestrów przesuwających
3.5. Poprawa charakterystyk roboczych rejestrów przesuwających MOS
3.6. Zespoły monolitycznych rejestrów przesuwających
3.7. Kierunki rozwoju
3.8. Wnioski Literatura
4. KONSTRUKCJE BIPOLARNYCH UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH O DOSTĘPIE SWOBODNYM
4.1. Wprowadzenie
4.2. Komórki bipolarnych układów pamięciowych o dostępie swobodnym
4.3. Układy pomocnicze dla pamięci o dostępie swobodnym
4.4. Bipolarny układ pamięciowy RAM typu SN74200 o pojemności 256 bitów
4.5. Pamięci KCL o dostępie swobodnym
4.6. Bopolarny układ pamięciowy RAM typu SN 74S204 o pojemności 1024 bity
4.7. Nowe rozwiązania technologiczne bipolarnych układów pamięciowych o dostępie swobodnym
4.8. Postęp w pamięciowych układach bipolarnych o dostępie swobodnym
4.9. Wnioski Literatura
5. KONSTRUKCJE UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH MOS O DOSTĘPIE SWOBODNYM
5.1. Wprowadzeń'e
5.2. Statyczne komórki pamięciowe RAM .
5.3. Dynamiczne komórki pamięciowe RAM
5.4. Przykłady mikroukładów pamięciowych
5.5. Technologia układów scalonych MOS i konstrukcja komórek pamięci o dostępie swobodnym
5.6. Opracowania bieżące
5.7. Postęp w dziedzinie mikroukładów MOS RAM
5.8. Podsumowanie Literatura
6. KONSTRUKCJA PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ZE STAŁYM PROGRAMEM
6.1. Wprowadzenie
6.2. Realizacja funkcji logicznych i obliczeniowych za pomocą pamięci ROM
6.3. Technologia pamięci stałych
6.4. Konstrukcja pamięci ' bipolarnych
6.5. Programowalne pamięci stałe Literatura
7. NIEZAWODNOŚĆ PÓŁPRZEWODNIKOWYCH UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH
7.1. Wprowadzenie
7.2. Zasadnicze czynniki wpływające na niezawodność układów scalonych o dużym stopniu scalenia
7.3. Wymagania niezawodnościowe dla systemów pamięciowych
7.4. Niezawodność realizowanej nietylkodlamoli funkcji
7.5. Badania laboratoryjne układów bipolarnych
7.6. Porównanie wymagań niezawodnościowych
7.7. Dodatkowe przedsięwzięcia zwiększające niezawodność
7.8. Podsumowanie Literatura
8. ZASTOSOWANIE PAMIĘCI STAŁYCH I PAMIĘCI SEKWENCYJNIE ADRESOWANYCH
8.1. Wprowadzenie
8.2. Działanie jednostrukturowego kalkulatora
8.3. Działania arytmetyczne
8.4. Akumulator szeregowy
8.5. Wytwarzanie znaków
8.6. Aspekty ekonomiczne zastosowania pamięci stałych Literatura
9. ZASTOSOWANIE BIPOLARNYCH PAMIĘCI AKTYWNYCH O- DOSTĘPIE SWOBODNYM
9.1. Wprowadzenie
9.2. Obciążenie
9.3. Zależności czasowe
9.4. Obciążalność wyjściowa
9.5. Zastosowanie mikroukładów pamięciowych w systemach
9.6. Podsumowanie Literatura
10. ZASTOSOWANIE PAMIĘCI AKTYWNYCH MOS O DOSTĘPIE SWOBODNYM
10.1. Wprowadzenie
10.2. Istotne właściwości układów MOS
10.3. Wysokie napięcie sterujące
10.4. Odświeżanie pamięci 10)5. Taktowanie
10.6. Analiza systemu pamięciowego o pojemności miliona bitów
10.7. Dalsze udoskonalenia
10.8. Pamięci aktywne z elementami z kanałem n
10.9. Współpraca z układami n-kanałowymi
10.10. Zastosowania
10.11. Dalsze udoskonalenia Literatura
11. DUŻE PAMIĘCI OPERACYJNE
11.1. Wprowadzenie
11.2. Dwustopniowa pamięć operacyjna
11.3. Pamięci ECL
11.4. Duża, szybka, półprzewodnikowa pamięć operacyjna
11.5. Podsumowanie Literatura Skorowidz
ISBN
W książce przedstawiono w zwartej formie sposoby wytwarzania oraz zasady konstrukcji półprzewodnikowych układów scalonych pełniących funkcję magazynowania informacji. Omówiono podstawowe rodzaje pamięci półprzewodnikowych i wyjaśniono zasady ich działania na przykładach praktycznych rozwiązań układów pamięciowych. Znaczną część materiału poświęcono zastosowaniu pamięci półprzewodnikowych w systemach pamięciowych.
SPIS TREŚCI
Przedmowa
1. ZAGADNIENIA OGÓLNE
1.1. Wprowadzenie
1.2. Trzy rodzaje pamięci
1.3. Przewidywane ceny pamięci półprzewodnikowych
Literatura
2. TECHNOLOGIE STOSOWANE W PRODUKCJI PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ELEMENTÓW PAMIĘCIOWYCH
2.1. Charakterystyki półprzewodnikowych elementów pamięciowych decydujące o ich przydatności
2.2. Przegląd współczesnych półprzewodnikowych układów pamięciowych
2.3. Zagadnienia pola powierzchni płytki krzemowej zajmowanego przez strukturę mikroukładu
2.4. Analiza i porównanie technologii wytwarzania pamięci półprzewodnikowych
2.5. Porównanie współczynników jakości
2.6. Krótkie omówienie technologii hermetyzacji układów pamięciowych
2.7. Wnioski Literatura
3. KONSTRUKCJE UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH O DOSTĘPIE SZEREGOWYM
3.1. Wprowadzenie
3.2. Rejestry przesuwające MOS
3.3. Problemy związane z rejestrami przesuwającymi MOS
3.4. Charakterystyki bipolarnych rejestrów przesuwających
3.5. Poprawa charakterystyk roboczych rejestrów przesuwających MOS
3.6. Zespoły monolitycznych rejestrów przesuwających
3.7. Kierunki rozwoju
3.8. Wnioski Literatura
4. KONSTRUKCJE BIPOLARNYCH UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH O DOSTĘPIE SWOBODNYM
4.1. Wprowadzenie
4.2. Komórki bipolarnych układów pamięciowych o dostępie swobodnym
4.3. Układy pomocnicze dla pamięci o dostępie swobodnym
4.4. Bipolarny układ pamięciowy RAM typu SN74200 o pojemności 256 bitów
4.5. Pamięci KCL o dostępie swobodnym
4.6. Bopolarny układ pamięciowy RAM typu SN 74S204 o pojemności 1024 bity
4.7. Nowe rozwiązania technologiczne bipolarnych układów pamięciowych o dostępie swobodnym
4.8. Postęp w pamięciowych układach bipolarnych o dostępie swobodnym
4.9. Wnioski Literatura
5. KONSTRUKCJE UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH MOS O DOSTĘPIE SWOBODNYM
5.1. Wprowadzeń'e
5.2. Statyczne komórki pamięciowe RAM .
5.3. Dynamiczne komórki pamięciowe RAM
5.4. Przykłady mikroukładów pamięciowych
5.5. Technologia układów scalonych MOS i konstrukcja komórek pamięci o dostępie swobodnym
5.6. Opracowania bieżące
5.7. Postęp w dziedzinie mikroukładów MOS RAM
5.8. Podsumowanie Literatura
6. KONSTRUKCJA PAMIĘCI PÓŁPRZEWODNIKOWYCH ZE STAŁYM PROGRAMEM
6.1. Wprowadzenie
6.2. Realizacja funkcji logicznych i obliczeniowych za pomocą pamięci ROM
6.3. Technologia pamięci stałych
6.4. Konstrukcja pamięci ' bipolarnych
6.5. Programowalne pamięci stałe Literatura
7. NIEZAWODNOŚĆ PÓŁPRZEWODNIKOWYCH UKŁADÓW PAMIĘCIOWYCH
7.1. Wprowadzenie
7.2. Zasadnicze czynniki wpływające na niezawodność układów scalonych o dużym stopniu scalenia
7.3. Wymagania niezawodnościowe dla systemów pamięciowych
7.4. Niezawodność realizowanej nietylkodlamoli funkcji
7.5. Badania laboratoryjne układów bipolarnych
7.6. Porównanie wymagań niezawodnościowych
7.7. Dodatkowe przedsięwzięcia zwiększające niezawodność
7.8. Podsumowanie Literatura
8. ZASTOSOWANIE PAMIĘCI STAŁYCH I PAMIĘCI SEKWENCYJNIE ADRESOWANYCH
8.1. Wprowadzenie
8.2. Działanie jednostrukturowego kalkulatora
8.3. Działania arytmetyczne
8.4. Akumulator szeregowy
8.5. Wytwarzanie znaków
8.6. Aspekty ekonomiczne zastosowania pamięci stałych Literatura
9. ZASTOSOWANIE BIPOLARNYCH PAMIĘCI AKTYWNYCH O- DOSTĘPIE SWOBODNYM
9.1. Wprowadzenie
9.2. Obciążenie
9.3. Zależności czasowe
9.4. Obciążalność wyjściowa
9.5. Zastosowanie mikroukładów pamięciowych w systemach
9.6. Podsumowanie Literatura
10. ZASTOSOWANIE PAMIĘCI AKTYWNYCH MOS O DOSTĘPIE SWOBODNYM
10.1. Wprowadzenie
10.2. Istotne właściwości układów MOS
10.3. Wysokie napięcie sterujące
10.4. Odświeżanie pamięci 10)5. Taktowanie
10.6. Analiza systemu pamięciowego o pojemności miliona bitów
10.7. Dalsze udoskonalenia
10.8. Pamięci aktywne z elementami z kanałem n
10.9. Współpraca z układami n-kanałowymi
10.10. Zastosowania
10.11. Dalsze udoskonalenia Literatura
11. DUŻE PAMIĘCI OPERACYJNE
11.1. Wprowadzenie
11.2. Dwustopniowa pamięć operacyjna
11.3. Pamięci ECL
11.4. Duża, szybka, półprzewodnikowa pamięć operacyjna
11.5. Podsumowanie Literatura Skorowidz