PRZYRZĄDY PÓŁPRZEWODNIKOWE Część pierwsza PODSTAWY DZIAŁANIA DIOD I TRANZYSTORÓW-ZADANIA

WPŚ 1998, str. 169, stan db

SPIS TREŚCI
1. Wstęp.
2. Koncentracja nośników w półprzewodniku samoistnym i domieszkowym.
Wpływ domieszkowania na położenie poziomu Fermiego.
3. Transport nośników pod wpływem pola elektrycznego.
Konduktywność półprzewodnika.
4. Transport nośników w półprzewodniku pod wpływem gradientu koncentracji.
Prawo Gaussa i równanie Poissona.
5. Zjawiska generacji-rekombinacji w półprzewodniku. Quasi-poziomy Fermiego.
6. Własności złącza p - n. Dioda półprzewodnikowa.
7. Tranzystor bipolarny.
8. Tranzystory polowe. Tranzystory polowe ze złączem p - n. Tranzystory MOS
Literatura.
Dodatek A - Wybrane (legalne) jednostki miar.
Dodatek B - Stałe fizyczne
Dodatek C - Własności półprzewodników i dielektryków
Dodatek D - Ruchliwość dziur i elektronów.
Konduktywność (rezystywność) półprzewodnika
Dodatek E - Poziomy domieszkowe pierwiastków w germanie, krzemie i arsenku galu
Dodatek F - Nomogram do obliczeń parametrów niesymetrycznych, skokowych
złączy krzemowych