|
» PROMOCJE !!! » NOWOŚCI !!! PROMOCJE (33) TECHNIKA I MECHANIKA Fotografia (54)Mechanika (183) Elektryka, Elektronika (382) » Architektura i budownictwo (204) Technika (559) Automatyka (65) Wyd. przed 1950 r. (51) NAUKI ŚCISŁE Matematyka (237)Chemia (212) Fizyka (117) Informatyka (84) Astronomia (16) Wyd. przed 1950 r. (39) NAUKI HUMANISTYCZNE I SPOŁECZNE Pedagogika (231)Psychologia (216) Ekonomia i zarządzanie, prawo (281) Polityka, politologia (74) Sztuka i kultura (341) Językoznawstwo, polonistyka (337) Etnologia, antropologia (72) Etyka (8) Socjologia (71) Filozofia (178) Wyd. przed 1950 r. (52) NAUKI PRZYRODNICZE Biologia (214)Geografia (36) Geologia, geodezja (75) Ekologia (52) Rolnictwo, zootechnika (51) Wyd. przed 1950 r. (44) HISTORIA Polski (747)Powszechna (303) Biografie, wspomnienia (602) Wyd. przed 1950 (63) LITERATURA POPULARNA Proza i dramat polski (475)Proza i dramat zagraniczny (629) Książki wydane przed 1950 rokiem (430) Fantastyka, Science-fiction (124) Książki popularnonaukowe (253) Horror (34) Poezja (138) Sagi (3) Ezoteryka, UFO (109) Poradniki (387) Komiksy (25) Erotyka (20) Humor (17) Audiobooki (1) LITERATURA DLA DZIECI Polska (153)Zagranica (114) Wyd. przed 1950 r. (3) SŁOWNIKI I ENCYKLOPEDIE Słowniki (57)Encyklopedie (10) Wyd. przed 1950 r. (12) KSIĄŻKI KULINARNE Książki kulinarne (147)Wyd. przed 1950 r. (2) KSIĄZKI OBCOJĘZYCZNE Wyd. przed 1950 rokiem (77)Wyd. po 1950 roku (125) RELIGIE, TEOLOGIA Religie, teologia (1184)Wyd. przed 1950 r. (87) Sport, turystyka (603) Wyd. przed 1950 r. (8) MUZYKA Nuty, śpiewniki (75)Pozostałe (51) Wyd. przed 1950 r. (34) MEDYCYNA, ZDROWIE Medycyna, zdrowie (429)Wyd. przed 1950 rokiem (21) PODRĘCZNIKI Do nauki języków (113)Przedmioty podstawowe (31) Przedmioty zawodowe (16) Wyd. przed 1950 r. (6) POZOSTAŁE Albumy (136)Czasopisma (64) Mapy (10) Stara reklama Varia (3)Autografy, dedykacje (11) | 
Opis: WNT 1979 str. 434stan db+(podniszczona lekko okładka, przykurzona, fabrycznie nie doklejone 2 karty) ISBN 83-204-0101-1 W książce omówiono podstawy fizyczne, właściwości, charakterystyki oraz konstrukcję przyrządów półprzewodnikowych takich jak: diody, tranzystory, półprzewodnikowe układy scalone, przyrządy optoelektroniczne, termistory, warystory, hallotrony i gaussotrony. Książka służy jako podręcznik dla studentów kierunku elektronika wyższych szkół technicznych. Mogą z niej korzystać inżynierowie i technicy elektronicy. Przedmowa 'Ważniejsze oznaczenia literowe Wstęp Rozdział 1. Wiadomości podstawowe o półprzewodnikach 1.1. Budowa przestrzenna i model pasmowy półprzewodnika Rozdział 2. Właściwości elektryczne półprzewodników 2.1. Koncentracja nośników ładunku w półprzewodniku 2.2. Oddziaływanie pola elektrycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku 2.3. Oddziaływanie pola magnetycznego na nośniki ładunku w półprzewodniku 2.3.1. Zjawisko Halla 2.3.2. Zjawisko Gaussa 2.4. Zakłócenie koncentracji nośników ładunku w półprzewodniku 2.4.1. Generacja (uwalnianie oraz wprowadzanie) i rekombinacja nadmiarowych nośników ładunku 2.4.2. Rekombinacja bezpośrednia 2.4.3 Rekombinacja pośrednia 2.4.4. Rekombinacja powierzchniowa 2.4.5. Poziomy quasi-fermiowskie 2.5. Transport nadmiarowych nośników ładunku w półprzewodniku 2.5.1. Prąd dyfuzji nośników ładunku i prąd całkowity 2.5.2. Równania transportu 2.5.3. Ambipolarne równanie, transportu 2.5.4. Równanie prądu elektronów i dziur w zapisie ambipolarnym 2.6. Właściwości elektryczne półprzewodnika niejednorodnego Rozdział 3. Złącza p-n (diody półprzewodnikowe) 3.1. Zjawiska fizyczne w złączu p-n 3.1.1. Rozkład koncentracji domieszek i powstawanie dipolowej warstwy ładunku w złączu p-n 3.1.2. Rozkład potencjałów w złączu p-n i jego model pasmowy 3.1.3. Pojemnęść warstwy zaporowej złącza, p-n 3.2. Przepływ prądu przez idealne złącze p-n pod wpływem napięcia doprowadzonego z zewnątrz 3.2.1. Mechanizm przepływu prądu przez złącze p-n 3.2.2. Charaktery styka, sta tyczna prądowo-napięciowa idealnego złącza p-n 3.2.3. Właściwości idealnego złącza p-n dla małych amplitud prądu zmiennego 3.3. Rzeczywiste złącze p-n 3.3.1. Wpływ rezystancji szeregowej na charakterystykę prądowo-na-pięciową złącza p-n 3.3.2. Przebicie złącza p-rt spolaryzowanego w kierunku zaporowym 3.3.3. Generacja i rekombinacja nośników ładunku w warstwie zaporowej złącza p-n 3.3.4. Wpływ unoszenia nadmiarowych nośników ładunku na charakterystykę złącza p-n 3.3.5. Złącze p+-n z bazą o dowolnej grubości 3.3.5.1. Charakterystyka statyczna złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości 3.3.5.2. "Właściwości złącza p+-n z bazą o dowolnej grubości dla małych amplitud prądu zmiennego 3.3.6. Wpływ temperatury na charakterystykę i właściwości złącza p-n . 3.3.7. Szumy złącza p-n 3.4. Charakterystyka 1(U) złącza p-n o bardzo dużych koncentracjach domieszek 3.5. Przykłady typowych metod wykonywania złącz P-n Rozdział 4. Złącza l-h 4.1. Zjawiska występujące w złączu l-h przy przepływie prądu . 4.1.1. Ekskluzja nośników mniejszościowych w złączu l-h . 4.1.2. Akumulacja nośników mniejszościowych w ziączu l-h 4.2. Złącze l-h jako element struktury półprzewodnikowej Rozdział 5. Styki metal-półprzewodnik Rozdział 6. Rodzaje diod półprzewodnikowych, ich charakterystyki i parametry techniczne 6.1. Zastosowania i związane z nimi rodzaje diod 6.1.1. Diody prostownicze 6.1.2. Diody detekcyjne i mieszające 6.1.3. Diody impulsowe . 6.1.4. Diody stabilizacyjne (diody Zenera) 6.1.5. Diody pojemnościowe 6.1.6. Mikrofalowe diody modulacyjne, tłumiące i przełączające 6.1.7. Mikrofalowe diody generacyjne 6.1.7.1. Diody tunelowe 6.1.7.2. Diody lawinowe 6.1.7.3. Diody Gunna . 6.2. Przykłady typowych konstrukcji obudów diod półprzewodnikowych Rodział 7. Tranzystory z jednorodną bazą 7.1. Zasada działania tranzystora z jednorodną bazą 7.2. Sposoby połączenia tranzystora ze źródłem sygnału i obciążeniem 7.3. Zasady polaryzacji tranzystora 7.4. Ogólne równania tranzystora idealnego w warunkach statycznych 7.5. Charakterystyki statyczne tranzystora idealnego 7.6. Parametry tranzystora idealnego dla małych amplitud prądu zmiennego 7.6.1. Parametry i układ zastępczy dla zakresu małych częstotliwości 7.6.2. Częstotliwości graniczne tranzystora idealnego 7.6.3. Parametry i układ zastępczy dla zakresu średnich częstotliwości 7.7. Tranzystor rzeczywisty z jednorodną bazą 7.7.1. Rezystancja rozproszona bazy 7.7.2. Parametry tranzystora rzeczywistego dla małych amplitud prądu zmiennego 7.7.3. Charakterystyki statyczne tranzystora rzeczywistego 7.7.4. Właściwości tranzystora w zakresie dużych koncentracji nośników wprowadzanych do bazy Rozdział 8. Tranzystory z niejednorodną bazą 8.1. Zasada działania 8.2. Parametry idealnego tranzystora z niejednorodną bazą dla małych amplitud prądu zmiennego 8.3. Rzeczywisty tranzystor z niejednorodną bazą Rozdział 9. Właściwości, charakterystyki i parametry impulsowe tranzystora 9.1. Zablokowanie, przewodzenie aktywne i nasycenie tranzystora 9.2. Charakterystyki przełączania tranzystora Rozdział 10. Typowe metody wykonywania i konstrukcje tranzystorów bipolarnych 10.1. Metody wykonywania tranzystorowych struktur 10.2. Typowe konstrukcje tranzystorów Rozdział 11. Tranzystory unipolarne 11.1. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego ze złączem P-n 11.2. Zasada działania i właściwości tranzystora unipolarnego z izolowaną bramką Rozdział 12. Zależność właściwości tranzystora od temperatury 12.1. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora bipolarnego 12.2. Wpływ temperatury na właściwości tranzystora unipolarnego Rozdział 13. Szumy tranzystorów 13.1. Szumy tranzystorów bipolarnych 13.2. Szumy tranzystorów unipolarnych Rozdział 14. Tranzystory p-n-p-n (tyrystory) 14.1. Zasada działania tranzystora p-n-p-n 14.2. Model fizyczny i teoria tranzystora p-n-p-n 14.3. Parametry techniczne tranzystorów p-n-p-n Rozdział 15. Układy scalone 15.1. Klasyfikacja układów scalonych 15.2. Półprzewodnikowe układy scalone 15.2.1. Metody izolacji indywidualnych elementów półprzewodnikowego układu scalonego 15.2.2. Konstrukcje nietylkodlamoli tranzystorów i diod specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych 15.2.3. Sposoby wykonywania połączeń w półprzewodnikowym układzie scalonym 15.2.4. Konstrukcje rezystorów specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych 15.2.5. Konstrukcje kondensatorów specyficzne dla półprzewodnikowych układów scalonych 15.2.6. Elementy indukcyjne w półprzewodnikowych układach scalonych 15.2.7. Problemy związane z projektowaniem półprzewodnikowych układów scalonych 15.3. Podstawowe półprzewodnikowe układy scalone cyfrowe i ich właściwości 15.4. Półprzewodnikowe układy scalone analogowe i ich właściwości Rozdział 16. Półprzewodnikowe przyrządy optoelektroniczne 16.1. Półprzewodnikowe źródła promieniowania 16.1.1. Diody elektroluminescencyjne 16.1.2. Lasery półprzewodnikowe złączowe 16.2. Półprzewodnikowe przyrządy fotoelektryczne 16.2.1. Fotorezystory 16.2.2. Fotodiody półprzewodnikowe 16.3. Transoptory Rozdział 17. Termistory 17.1. Charakterystyka temperaturowa rezystancji 17.2. Charakterystyka napięciowo-prądowa . . 17.3. Przykłady typowyc |
 |