|
» PROMOCJE !!! » NOWOŚCI !!! PROMOCJE (33) TECHNIKA I MECHANIKA Fotografia (54)Mechanika (183) Elektryka, Elektronika (382) » Architektura i budownictwo (204) Technika (559) Automatyka (65) Wyd. przed 1950 r. (51) NAUKI ŚCISŁE Matematyka (237)Chemia (212) Fizyka (117) Informatyka (84) Astronomia (16) Wyd. przed 1950 r. (39) NAUKI HUMANISTYCZNE I SPOŁECZNE Pedagogika (231)Psychologia (216) Ekonomia i zarządzanie, prawo (281) Polityka, politologia (74) Sztuka i kultura (341) Językoznawstwo, polonistyka (337) Etnologia, antropologia (72) Etyka (8) Socjologia (71) Filozofia (178) Wyd. przed 1950 r. (52) NAUKI PRZYRODNICZE Biologia (214)Geografia (36) Geologia, geodezja (75) Ekologia (52) Rolnictwo, zootechnika (51) Wyd. przed 1950 r. (44) HISTORIA Polski (747)Powszechna (303) Biografie, wspomnienia (602) Wyd. przed 1950 (63) LITERATURA POPULARNA Proza i dramat polski (475)Proza i dramat zagraniczny (629) Książki wydane przed 1950 rokiem (430) Fantastyka, Science-fiction (124) Książki popularnonaukowe (253) Horror (34) Poezja (138) Sagi (3) Ezoteryka, UFO (109) Poradniki (387) Komiksy (25) Erotyka (20) Humor (17) Audiobooki (1) LITERATURA DLA DZIECI Polska (153)Zagranica (114) Wyd. przed 1950 r. (3) SŁOWNIKI I ENCYKLOPEDIE Słowniki (57)Encyklopedie (10) Wyd. przed 1950 r. (12) KSIĄŻKI KULINARNE Książki kulinarne (147)Wyd. przed 1950 r. (2) KSIĄZKI OBCOJĘZYCZNE Wyd. przed 1950 rokiem (77)Wyd. po 1950 roku (125) RELIGIE, TEOLOGIA Religie, teologia (1184)Wyd. przed 1950 r. (87) Sport, turystyka (603) Wyd. przed 1950 r. (8) MUZYKA Nuty, śpiewniki (75)Pozostałe (51) Wyd. przed 1950 r. (34) MEDYCYNA, ZDROWIE Medycyna, zdrowie (429)Wyd. przed 1950 rokiem (21) PODRĘCZNIKI Do nauki języków (113)Przedmioty podstawowe (31) Przedmioty zawodowe (16) Wyd. przed 1950 r. (6) POZOSTAŁE Albumy (136)Czasopisma (64) Mapy (10) Stara reklama Varia (3)Autografy, dedykacje (11) | 
Opis: WNT 1979, str 436 stan db (zniszczona obwoluta) ISBN 83-204-0022-8 W książce podano teorię, technologie wytwarzania i metody projektowania układów scalonych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOS) o dużym stopniu scalenia (LSI). Omówiono zastosowania systemowe tych układów oraz zagadnienia niezawodnościowe. Książka jest przeznaczona dla inżynierów elektroników. Będzie pomocna dla studentów wydziałów elektroniki wyższych szkół technicznych. SPIS TREŚCI (fragment) Przedmowa / Wykaz ważniejszych oznaczeń / 15 1 Technologia układów scalonych MOS o dużym stopniu scalenia / 15 1.1 Wprowadzenie / 17 1.2 Rozwój układów MOS LSI / 18 1.3 Zalety układów MOS LSI / 21 1.3.1 Zalety ekonomiczne / 22 1.3.2 Funkcjonalność / 26 1.4 Układy MOS LSI — problemy związane z nimi i ograniczenia / 30 1.4.1 Zagadnienia i rozważania związane z ekonomiką układów MOS LSI / 31 1.4.2 Ograniczenia w działaniu / 33 1.4.3 Problemy kierownictwa zakładu produkcyjnego / 36 1.5 Inne technologie MOS / 38 1.6 Zastosowanie układów MOS LSI / 41 1.6.1 Obecne zastosowania układów MOS LSI / 42 1.6.2 Nowe rynki dla układów MOS LSI / 43 Literatura / 46 2 Fizyczne podstawy działania i charakterystyki elektryczne tranzystora polowego MOS / 48 2.1 Wprowadzenie / 48 2.2 Podstawowa teoria półprzewodników / 48 2.2.1 Teoria pasmowa / 49 2.2.2 Poziom Fermiego / 50 2.2.3 Półprzewodniki samoistne / 50 2.2.4 Samoistna generacja nośników / 50 2.2.5 Półprzewodniki domieszkowane / 52 2.2.6 Zależność potencjału Fermiego od koncentracji domieszki / 53 2J2.7 Ruchliwość nośników i konduktywność / 54 2.2.8 Złącze p-n I 55 2.2.9 Warstwa zaporowa / 56 2JJ.10 Pojemność złącza I 58 2.2.11 Charakterystyki prądowo-napięciowe diody / 59 1 2.12 Przebicie lawinowe / 60 2.3 Analiza tranzystora polowego MOS / 61 2.3.1 Zjawiska zachodzące tuż pod powierzchnią półprzewodnika / 61 ZZ2, Kondensator MOS / 65 2.3.3 Napięcie progowe / 67 2.3.4 Tranzystor polowy MOS / 71 2.3.5 Stan nasycenia / 77 2.3.6 Podsumowanie / 79 2-4 Parametry i charakterystyki tranzystora polowego MOS / 81 2.4.1 Uproszczony model tranzystora MOS w statycznych warunkach pracy / 81 2.4.2 Charakterystyki wyjściowe tranzystora polowego MOS / 82 2.4.3 Współczynnik przewodzenia / 85 2.4.4 Napięcie progowe / 91 2.4.5 Parametry tranzystora polowego MOS dla małych sygnałów / 95 2.4.6 Wpływ podłoża / 98 2.4.7 Pojemność tranzystora polowego MOS / 101 2.4.8 Charakterystyki pojemności w funkcji napięcia / 103 2.4.9 Pojemności pasożytnicze / 106 2.4.10 Pojemność złącza / 108 2.4.11 Upływność i przebicie złącza / 111 2.4.12 Zabezpieczenie bramki I 114 2.4.13 Rezystory dyfuzyjne / 118 2.4.14 Tranzystory pasożytnicze / 121 2.4.15 Metody pomiaru parametrów struktur MOS / 127 Literatura / 131 3 Technologie MOS / 132 3.1 Wprowadzenie / 132 3.2 Podstawowe technologie obróbki krzemu / 132 3.2.1 Podłoże krzemowe, dyfuzje, utlenianie / 132 3.2.2 Maskowanie i trawienie / 134 3.2.3 Montaż / 138 3.3 Klasyczna technologia MOS z kanałem typu p / 140 3.3.1 . Produkcja układów / 141 3.3.2 Montaż i pomiary / 153 3.4 Opis i porównanie różnych technologii MOS / 158 3.4.1 Kanał typu n I 158 3.4.2 Układy komplementarne / 163 3.4.3 Porównanie tranzystorów z kanałem typu p z grubą i cienką warstwą tlenku / 165 3.4.4 Technologie wysoko- i niskoprogowe / 166 3.4.5 Implantacja jonów / 171 3.4.6 Bramka krzemowa / 174 3.4.7 Inne technologie / 178 Literatura / 178 Teoria projektowania układów MOS / 180 4.1 Wprowadzenie / 180 4.2 Podstawowy układ inwertera / 180 4.2.1 Dyfuzyjny rezystor obciążenia / 181 4.2.2 Rezystor obciążenia w postaci tranzystora MOS / 184 4.2.3 Analityczne charakterystyki przenoszenia napięcia / 189 4.2.4 Liniowa rezystancja obciążenia / 191 4.2.5 Obciążenie w postaci tranzystora polowego MOS pracującego w obszarze nasycenia charakterystyk prądowo-napięciowych / 4.2.6 Obciążenie w postaci tranzystora polowego MOS pracującego w obszarze nienasycenia charakterystyk prądowo-napięciowych / 4.2.7 Równania uogólnione / 196 4.2.8 Wpływ napięcia polaryzacji podłoża / 207 4.2.9 Charakterystyki przyjściowe inwertera MOS / 207 4.2.10 Wyłączanie lub czas narastania / 208 4.2.11 Włączanie lub czas opadania / 211 4.2.12 Czasy narastania i opadania / 221 4.3 Przykłady projektowania inwerterów / 222 4.3.1 Projektowanie inwertera wyjściowego / 223 4.3.2 Tranzystor obciążający inwertera wyjściowego / 223 4.3.3 Tranzystor wejściowy inwertera wyjściowego / 226 4.3.4 Moc rozpraszana w inwerterze wyjściowym / 228 4.3.5 Układ z rozwartym obwodem drenu / 229 4.3.6 Inwerter wewnętrzny / 230 4.3.7 Tranzystor stanowiący obciążenie w inwerterze wewnętrznym / 230 4.3.8 Tranzystor wejściowy inwertera wewnętrznego / 231 4.3.9 Szumy w inwerterze stanowiącym stopień wewnętrzny układu / 232 4.3.10 Kolumnowe połączenie tranzystorów wejściowych / 232 4.4 Zagadnienia specjalne związane z projektowaniem układów / 233 4.4.1 Współpraca układów MOS z układami bipolarnymi I 233 4.4.2 Przeciwsobne układy sterujące / 235 4.4.3 Układy niepodziałowe / 236 Literatura / 239 5 Projektowanie układów logicznych MOS / 240 5.1 Wprowadzenie / 240 5.2 Logika statyczna / 240 5.2.1 Elementy logiki statycznej / 242 5.2.2 Elementy pamięci statycznych / 243 5.3 Układy logiki dynamicznej / 247 5.3.1 Dwutaktowe podziałowe układy logiczne / 248 5.3.2 Dwutaktowe niepodziałowe układy logiczne / 253 5.3.3 Czterotaktowe niepodziałowe układy logiczne / 261 5.4 Synchroniczne maszyny sekwencyjne / 276 5.4.1 Przykład projektowania / 279 5.4.2 Analiza projektu / 292 5.5 Przekształcanie wstępnego schematu w dwutaktowy podziałowy układ logiczny / 294 5.5.1 Dobór właściwego opóźnienia / 294 5.5.2 Podstawienie / 295 5.5.3 Minimalizacja / 295 5.6 Przekształcanie wstępnego schema |
 |